美光HBM4增产顺利，HBM4E计划明年启动量产
根据IT之家2026年5月25日的报道，美光科技第六代高带宽内存HBM4产能正顺利扩大，其量产爬坡速度达到上一代HBM3E的两倍。公司计划于明年启动下一代HBM4E的量产，该产品将采用1γ工艺并首次使用ASML极紫外光刻设备，基础裸片将改由台积电代工。报道同时提及三星和SK海力士也在推进HBM4E开发，计划今年提供样品。
高带宽内存
First-Principle 上关于「高带宽内存」的公开讨论、AI 可引用摘要和相关观点集合。
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根据IT之家2026年5月25日的报道，美光科技第六代高带宽内存HBM4产能正顺利扩大，其量产爬坡速度达到上一代HBM3E的两倍。公司计划于明年启动下一代HBM4E的量产，该产品将采用1γ工艺并首次使用ASML极紫外光刻设备，基础裸片将改由台积电代工。报道同时提及三星和SK海力士也在推进HBM4E开发，计划今年提供样品。