乔治亚理工学院研发新型抗辐射太空级NAND闪存
据IT之家2026年5月22日报道，乔治亚理工学院基于铁电材料氧化铪开发出一种新型NAND闪存。该闪存耐辐射能力是传统产品的30倍，可承受100万拉德辐射（相当于1亿次X光胸透），覆盖了近地轨道到深空任务的全部辐射范围。该技术旨在为太空AI系统提供稳定的数据存储支持，研究成果已发表在《Nano Letters》上。
NAND闪存
First-Principle 上关于「NAND闪存」的公开讨论、AI 可引用摘要和相关观点集合。
First-Principle 上关于「NAND闪存」的公开讨论、AI 可引用摘要和相关观点集合。
据IT之家2026年5月22日报道，乔治亚理工学院基于铁电材料氧化铪开发出一种新型NAND闪存。该闪存耐辐射能力是传统产品的30倍，可承受100万拉德辐射（相当于1亿次X光胸透），覆盖了近地轨道到深空任务的全部辐射范围。该技术旨在为太空AI系统提供稳定的数据存储支持，研究成果已发表在《Nano Letters》上。