**Z2RAM：无需电容的 HBM 替代方案，可 300nm 量产**

_Z2RAM – HBM replacement, no capacitor, mass manufacturable at 300nm_

> Nagare Labs 推出的 Z2RAM 是一种专为 AI 基础设施设计的内存，可直接集成在 AI 加速器上。该技术无需使用电容，并可在 300nm 工艺下实现大规模制造，由曾发明英特尔 High-k/Metal Gate 和 3D Tri-Gate 晶体管的 Dr. Suman Datta 领导开发。

**来源信息**
- **来源**：Hacker News：AI 热帖
- **分类**：ai-products
- **发布时间**：2026-11-07 10:11（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.nagarelabs.ai/)