**三星确认HBM5将采用2纳米GAA工艺，速度较HBM4E提升50%以上**

_三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺，速度较HBM4E提升50%以上_

> 三星电子半导体事业部技术开发室长具子铉表示，下一代HBM5内存运行速度预计比HBM4E快50%以上。HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）。三星将基于在4纳米HBM4上的经验和技术竞争力，提前引入2纳米工艺，拓展与移动、AI、HPC等领域的客户合作。

**来源信息**
- **来源**：36氪（RSS）
- **分类**：ai-products
- **发布时间**：2026-07-27 18:16（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://36kr.com/newsflashes/3913734184244361?f=rss)