**三星HBM4E良率突破70%，第七代AI内存研发步入稳定期**

_消息称三星 HBM4E 良率突破 70%，第七代 AI 内存开发进入稳定阶段_

> IT之家报道，三星电子HBM4E可靠性测试良率已超70%，表明其第七代AI内存开发进入稳定阶段。该产品计划用于英伟达明年的Vera Rubin Ultra加速器。同时，三星下一代10纳米级D1d DRAM工艺研发顺利，预计今年11月通过生产准备就绪审批，将进一步巩固其在AI内存领域的竞争力。

**来源信息**
- **来源**：IT之家（RSS）
- **分类**：行业
- **发布时间**：2026-07-01 15:39（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.ithome.com/0/971/114.htm)