**我国研制出三维多层片上电容，可直用于AI/GPU芯片**

_我国成功研制出三维多层片上电容，可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片_

> 湖北江城实验室成功研制三维多层片上电容，电容密度超每平方毫米1000纳法，可直接集成在芯片内部或硅基板，适用于AI/GPU等高端芯片，支撑高算力低功耗，目前正进行工艺流片及小批量试产，计划在先进封装领域规模化应用。

**来源信息**
- **来源**：IT之家（RSS）
- **分类**：行业
- **发布时间**：2026-06-12 19:14（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.ithome.com/0/963/670.htm)