**AI芯片初创Etched完成流片：低电压设计提升算力，SRAM+HBM兼顾性能**

_AI 芯片新创 Etched 完成流片：低电压提升实际算力表现，SRAM + HBM 缓存_

> AI芯片初创企业Etched宣布其推理加速器芯片完成A0步进流片，获超10亿美元订单及8亿美元B轮融资。该芯片采用台积电N4P工艺，通过多层次优化使数学模块电压降低50%以上，有效解决高负载发热导致的算力衰减问题。同时，芯片采用片上SRAM与片外HBM组合设计，兼顾低延迟与大容量，首批机架产品预计于2026年夏季出货。

**来源信息**
- **来源**：IT之家（RSS）
- **分类**：ai-models
- **发布时间**：2026-07-01 09:21（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.ithome.com/0/970/858.htm)