**SK 海力士发布新一代内存路线图，旨在突破 AI 基础设施瓶颈**

_SK Hynix Unveils Next-Generation Memory Roadmap to Address AI Bottlenecks_

> SK 海力士宣布加速开发 3D Stacked DRAM 和高带宽闪存 (HBF) 技术，旨在优化内存层级架构。面对 AI 推理需求激增带来的性能与能效挑战，公司计划通过提升 HBM 领导地位及开发定制化 HBM，解决数据传输延迟与存储容量限制，以应对到 2030 年可能翻 20 倍增长的 AI 基础设施需求。

**来源信息**
- **来源**：Hacker News：AI 热帖
- **分类**：行业
- **发布时间**：2026-10-16 06:38（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.koreaittimes.com/news/articleView.html?idxno=158124)