**三星首发V10 BV-NAND：超400层堆叠，存储密度提升58%**

_超 400 层：三星展示业界首款 V10 BV-NAND，存储密度提高约 58%_

> 三星在2026年未来存储与内存大会（FMS）上发布面向AI基础设施的3D内存路线图，首发采用Bonding V-NAND架构的V10 BV-NAND，层数超400层，存储密度较上代提升约58%。同时展示zHBM与zNAND-O概念产品，zHBM性能约为HBM5的8倍、密度超10倍，并推出涵盖HBM4E、LPDDR5X-PIM等企业级存储的全套AI内存解决方案。

**来源信息**
- **来源**：IT之家（RSS）
- **分类**：ai-products
- **发布时间**：2026-08-05 07:24（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.ithome.com/0/985/746.htm)