**闪迪新专利：将NAND闪存堆叠在计算芯片下方，破解AI存储瓶颈**

_闪迪新专利：将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈_

> 闪迪最新专利（US 12,430,274 B2）提出3D堆叠架构，将搭载CMOS键合阵列的NAND闪存裸片堆叠在AI加速器或GPU等主计算芯片下方，并搭配侧边HBM DRAM。HBM负责低延迟即时任务，NAND闪存负责大容量数据读写，通过宽通道互联降低延迟、成本与功耗，有望突破HBM容量瓶颈和传输延迟问题，但目前仍处于专利阶段。

**来源信息**
- **来源**：IT之家（RSS）
- **分类**：行业
- **发布时间**：2026-06-22 09:25（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.ithome.com/0/966/776.htm)