**突破1纳米死穴：科学家破解二维晶体管性能难题，接触电阻降低约94%。**

_突破1纳米死穴，科学家破解二维晶体管性能难题，接触电阻降低约94%_

> 针对芯片内部电阻导致设备发热和卡顿的问题，科学家成功破解了二维晶体管在1纳米尺度下的性能难题，使接触电阻降低了约94%。

**来源信息**
- **来源**：麻省理工科技评论中文版：资讯（API）
- **分类**：ai-models
- **发布时间**：2026-11-12 14:57（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.mittrchina.com/news/detail/17233)