**三星发布三款AI数据中心新型存储技术**

_Samsung debuts three new memory technologies – zHBM, zNAND-O, and BV-NAND_

> 三星在FMS 2026大会上推出zHBM、zNAND-O和BV-NAND三款下一代内存技术，均基于先进晶圆键合工艺。其中zHBM将HBM堆栈直接置于逻辑芯片上方，据称性能可达HBM5的8倍，密度提升10倍，能效提升3倍。

**来源信息**
- **来源**：Hacker News：AI 热帖
- **分类**：行业
- **发布时间**：2026-08-08 12:22（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/samsung-debuts-three-next-generation-memory-technologies-for-ai-data-centers-zhbm-znand-o-and-bv-nand-all-rely-on-advanced-wafer-bonding-technologies)