**美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡**

> 美光在 2026 年度技术网络研讨会中预告了 G11 NAND 闪存，预计于 2027 年下半年开始产能爬坡。该产品采用晶圆对晶圆键合技术，堆叠层数超过 400 层，存储密度约为现有 G9 的 2 倍，I/O 速率提升 1.5 倍，能耗降低 25% 以上。此外，美光还展示了针对 AI 数据中心的两种专用 NAND 设计，分别优化 GPU 直连 IOPS 和带宽性能。

**来源信息**
- **来源**：IT之家（RSS）
- **分类**：ai-products
- **发布时间**：2026-10-22 10:05（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.ithome.com/1/016/225.htm)