**韩国团队突破半导体瓶颈：实现二维材料中电流无阻碍流动**

_韩国团队开发出新型半导体结构，让电流在二维材料中无阻碍流动_

> 韩国科学技术研究院与成均馆大学联合研发出新型半导体结构，通过在单层二铅化物薄膜内构建半金属与半导体连续区域，成功消除接触电阻导致的电气瓶颈。该技术有望大幅降低下一代芯片功耗，为AI芯片及超低功耗半导体发展提供关键支撑，相关成果已发表于《Matter》期刊。

**来源信息**
- **来源**：IT之家（RSS）
- **分类**：行业
- **发布时间**：2026-07-16 09:54（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.ithome.com/0/977/320.htm)