**美光放弃 4F² 路线转向 3D DRAM，1ε 节点引入晶圆键合技术**

_美光认为 4F² DRAM 内存无可行扩展路径，1ε 用晶圆键合、 ζÅ 用 High NA EUV_

> 美光在 2026 年度技术网络研讨会中指出，4F² DRAM 因复杂度和成本问题无可行扩展路径，决定全面转向 3D DRAM 作为未来发展路线。其第 8 代 10nm 级节点 1ε 将引入晶圆键合技术，预计带来约 25% 的代际存储密度提升，并计划应用于 HBM5 等主流产品。

**来源信息**
- **来源**：IT之家（RSS）
- **分类**：ai-products
- **发布时间**：2026-10-22 09:31（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.ithome.com/1/016/208.htm)