**日本团队开发激光写入磁存储材料，数据切换速度提升千倍**

_由激光写入的磁存储材料切换数据提速千倍_

> 日本量子科学技术研究开发机构在《应用物理快报》上报道了一种可由激光直接写入的新型磁性存储材料，其数据切换速度比传统电流驱动磁存储器快约1000倍，有望应用于未来AI芯片和高速信息系统，同时降低数据中心能耗。

**来源信息**
- **来源**：36氪（RSS）
- **分类**：ai-products
- **发布时间**：2026-06-15 07:17（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://36kr.com/newsflashes/3853623109866496?f=rss)