**华邦电子：14nm DRAM 内存将有 EUV 版本，有望 2030 年导入**

> <p data-vmark="6f59"\>IT之家 11 月 9 日消息，据台媒《MoneyDJ 理财网》消息，利基型存储器制造商华邦电子 (Winbond) 总经理陈沛铭表示，<strong\>计划在企业的第二代 14nm 级 DRAM 内存工艺中应用 EUV 光刻技术</strong\>，若开发顺利预计 2030 年导入。</p\><p data-vmark="8168"\>陈沛铭提到，该企业已在 EUV 上同 ASML 展开 3.5 年的合作，目前正派遣员工赴 ASML 接受培训，为后续的工艺导入进行准备。<strong\>ASML 向华邦承诺首台 EUV 光刻机交付时间约 2 年</strong\>，后续设备则要等待 3.5 年。</p\><p data-vmark="c690" style="text-align: center;"\><img src="https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2...

**来源信息**
- **来源**：IT之家（RSS）
- **分类**：tip
- **发布时间**：2026-11-09 16:07（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.ithome.com/1/024/349.htm)