**三星开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化 AI 吞吐量与随机性能**

_消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能_

> 三星电子正开发针对 AI 负载优化的 zNAND-T 和 zNAND-I 闪存。zNAND-T 采用 TSV 堆叠技术，旨在提升数据中心 AI 半导体的读写带宽；zNAND-I 则侧重优化 IOPS，适用于 KV Cache 卸载等频繁随机读写场景。此举标志着 NAND 闪存正从通用型向定制化方向转变。

**来源信息**
- **来源**：IT之家（RSS）
- **分类**：行业
- **发布时间**：2026-10-12 13:54（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.ithome.com/1/011/871.htm)