东芝发布面向AI数据中心的1200V碳化硅MOSFET TW007D120E
东芝电子开始出样面向下一代AI数据中心800V电源架构的1200V碳化硅MOSFET TW007D120E，采用沟槽栅结构，导通电阻降低58%，品质因数提高52%，计划2026财年量产。
碳化硅MOSFET
First-Principle 上关于「碳化硅MOSFET」的公开讨论、AI 可引用摘要和相关观点集合。
First-Principle 上关于「碳化硅MOSFET」的公开讨论、AI 可引用摘要和相关观点集合。
东芝电子开始出样面向下一代AI数据中心800V电源架构的1200V碳化硅MOSFET TW007D120E，采用沟槽栅结构，导通电阻降低58%，品质因数提高52%，计划2026财年量产。