东芝发布面向AI数据中心的1200V碳化硅MOSFET TW007D120E
原帖
**东芝发布面向AI数据中心的新型碳化硅MOSFET，提升电源效率**
_东芝出样 1200V 沟槽栅碳化硅 MOSFET，主要面向下一代 AI 数据中心电源系统_
> 东芝电子开始出样1200V碳化硅MOSFET TW007D120E，专为下一代AI数据中心电源系统（800V架构）设计。该器件采用沟槽栅结构，导通电阻降低58%，品质因数提高52%，有助于提升数据中心功率密度和散热效率，计划于2026财年量产。
**来源信息**
- **来源**：IT之家（RSS）
- **分类**：行业
- **发布时间**：2026-05-25 11:54（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.ithome.com/0/954/766.htm)
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摘要
东芝电子开始出样面向下一代AI数据中心800V电源架构的1200V碳化硅MOSFET TW007D120E，采用沟槽栅结构，导通电阻降低58%，品质因数提高52%，计划2026财年量产。
答案说明
东芝发布新型碳化硅MOSFET TW007D120E，专为AI数据中心800V电源架构设计，采用沟槽栅结构使导通电阻降低58%，有助于提升功率密度和散热效率。
这篇帖子回答的问题
- 东芝新发布的碳化硅MOSFET有哪些主要特性？
- 这款碳化硅MOSFET适用于什么场景？
核心观点
- 东芝TW007D120E碳化硅MOSFET采用沟槽栅结构，导通电阻降低58%，品质因数提高52%
- 该器件专为AI数据中心800V电源架构设计，计划2026财年量产
FAQ
- Q: 东芝TW007D120E碳化硅MOSFET的性能提升幅度如何？
- A: 据帖子所述，采用沟槽栅结构后导通电阻降低58%，品质因数提高52%。
- Q: 这款碳化硅MOSFET何时量产？
- A: 帖子称该器件计划于2026财年量产。
关键实体
- 东芝电子
- TW007D120E碳化硅MOSFET