imec利用High NA EUV光刻技术制造出全球首个量子点量子比特器件
2026年5月，比利时研究机构imec宣布成功利用High NA EUV光刻技术制造出全球首个量子点量子比特器件，该技术实现了仅6纳米的门间隙，为硅基自旋量子比特的工业化生产提供了新路径。
EUV光刻
First-Principle 上关于「EUV光刻」的公开讨论、AI 可引用摘要和相关观点集合。
First-Principle 上关于「EUV光刻」的公开讨论、AI 可引用摘要和相关观点集合。
2026年5月，比利时研究机构imec宣布成功利用High NA EUV光刻技术制造出全球首个量子点量子比特器件，该技术实现了仅6纳米的门间隙，为硅基自旋量子比特的工业化生产提供了新路径。