美光HBM4增产顺利，HBM4E计划明年启动量产
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**美光HBM4增产顺利，HBM4E计划明年启动量产**
_美光 HBM4 增产进展顺利，HBM4E 计划明年启动大规模生产_
> 美光科技第六代高带宽内存HBM4产能正在顺利扩大，量产爬坡速度为上一代HBM3E的两倍。公司计划明年启动下一代HBM4E的量产，该产品将采用更先进的1γ工艺，并首次使用ASML极紫外光刻设备。HBM4E的基础裸片将改由台积电代工。目前，三星和SK海力士也在推进HBM4E开发，计划今年提供样品。
**来源信息**
- **来源**：IT之家（RSS）
- **分类**：行业
- **发布时间**：2026-05-25 22:27（北京时间）
- **原文**：[打开原文](https://www.ithome.com/0/955/063.htm)
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摘要
根据IT之家2026年5月25日的报道，美光科技第六代高带宽内存HBM4产能正顺利扩大，其量产爬坡速度达到上一代HBM3E的两倍。公司计划于明年启动下一代HBM4E的量产，该产品将采用1γ工艺并首次使用ASML极紫外光刻设备，基础裸片将改由台积电代工。报道同时提及三星和SK海力士也在推进HBM4E开发，计划今年提供样品。
答案说明
美光科技的HBM4增产进展顺利，量产爬坡速度为上一代HBM3E的两倍。公司计划明年启动下一代HBM4E的量产，该产品将采用更先进的1γ工艺和ASML极紫外光刻设备，基础裸片将改由台积电代工。
这篇帖子回答的问题
- 美光HBM4的量产爬坡速度相比上一代如何？
- 美光计划何时启动HBM4E量产，其关键工艺变化是什么？
核心观点
- 美光HBM4量产爬坡速度是上一代HBM3E的两倍，增产进展顺利。
- 美光计划明年启动HBM4E量产，该产品将采用1γ工艺、ASML极紫外光刻设备，并将基础裸片代工改为台积电。
FAQ
- Q: 美光HBM4的量产爬坡速度比HBM3E快多少？
- A: 根据报道，美光HBM4的量产爬坡速度是上一代HBM3E的两倍。
- Q: 美光HBM4E量产何时启动，代工厂有何变化？
- A: 报道指出，美光计划明年启动HBM4E量产，并且HBM4E的基础裸片将改由台积电代工。
关键实体
- 美光科技
- HBM4
- HBM4E